IPM29- SiC_MOS智能功率模块，紧凑封装、使用简便

IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为紧凑的1200V等级封装，这款SiC MOSFET IPM使用简便，针对SIC定制优化驱动部分，有效减小开关振荡。此外，它采用紧凑式封装，得益于使用具备很高热导率的DBC基板，具有良好热性能和充足的电气隔离等级能力，具有出色的功率密度、可靠性和性能。它针对相关应用进行了优化，是一款用于高效率的电机驱动与有源功率校正电路的高效逆变平台而设计的个性化产品。例如供暖通风空调，风扇电机，车载空调及三相功率因数校正。

填补IPM产品市场端的高压平台的高频应用需求。

IPM29- SiC_MOS新系列产驱动集成了自举电路、一体化使能与可调故障输出（FO）、防直通互锁、欠压保护与温度输出功能，优化的高压栅极驱动配合內集成的高速、低阻抗SiC_MOSFETS逆变桥，极大地改善产品工作EMI特性与开关损耗，适用于高频开关需求的电机驱动应用。

目前产品的规格等级有20A / 1200V > XNC20S12FT。

• 集成1200V/20A高压栅极驱动与配套高速开关SiC_MOS逆变拓扑

• 优化驱动与SiC_MOS开关，降低开关损耗与优化EMI特性

• 三相全桥逆变拓扑，下桥发射极开路，适用于各类电机驱动场景

• 驱动集成带限流电阻自举二极管

• 内置欠压保护、过流保护，互锁、可调故障输出及温度输出(VOT) 

• 完全兼容3.3V和5V驱动输入信号

• 绝缘电压等级：2500Vac

XNC20S12FT 新品SiC智能功率模块在整机运行实验中表现优秀，在较高工作载波频率（32KHz），负载电流为80%的额定电流的工况下温升表现良好，电流、电压波形稳定无明显尖刺干扰，能保证电机的稳定、高效运转。