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新一代IPM23_MOS:优化性能与成本,构筑高频应用的智能功率模块

发布日期:2023-11-08 14:54 浏览次数:


简介

IPM23_MOS方案时隔1年再次相见,我们新品优化了产品性能,优化的产品成本架构,产线扩线产能保证。

新发布的智能功率模块采用芯能新一代自研驱动IC和MOSFET芯片,包含全功能驱动与高性能逆变输出,为交流感应电机、BLDC无刷直流电流与PMSM永磁同步电机等高频应用提供了更适配的选项。

IPM23_MOS新系列产品内部驱动集成了自举电路、防直通互锁、欠压保护与温度输出功能,优化的高压栅极驱动配合內集成快速恢复二极管的MOSFET,极大地改善产品工作EMI与开关损耗。产品封装采用框架全塑封结构,模块体积小、功能齐全、功率密度高、热阻小,绝缘等级能满足各种装配场景需求。

目前产品的规格等级有3A/500V和5A/500V,型号为XNM50350ATS和XNM50550ATS。

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产品特点


  • 内置高压栅极驱动,配套芯片完全国产化

  • 三相全桥逆变拓扑,适用于各类电机驱动场景

  • 优化驱动与MOSFET开关,降低开关损耗与优化EMI特性

  • 驱动集成自举电路,内置限流保护电阻,集成度更高

  • 内置欠压保护、过流保护,互锁及温度输出(VOT) 

  • 完全兼容3.3V和5V驱动输入信号

  • 绝缘电压等级:1500Vac



解决方案


1、与主流产品完全兼容

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2、集成多重保护功能

集成自举电路、欠压保护、防直通互锁、温度输出功能

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3、开关损耗小,适用高频应用

电流等级可达5A,功率密度高、热阻小


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